![[personal profile]](https://www.dreamwidth.org/img/silk/identity/user.png){kind=small}
Entry tags:
О первых транзисторах в СССР
Хронология
1926 г.. Советский физик Я. И. Френкель выдвинул гипотезу о дефектах кристаллической структуры полупроводников, названных “пустыми местами”, или, более привычно, “дырками”, которые могли перемещаться по кристаллу.
1930-е годы. Академик А. Ф. Иоффе начал эксперименты с полупроводниками в Ленинградском институте инженерной физики.
1938 г.. Независимо друг от друга: Мотт в Англии, Вальтер Шоттки в Германии, Украинский академик Б. И. Давыдов и его сотрудники предложили диффузионную теорию выпрямления переменного тока посредством кристаллических детекторов, в соответствии с которой оно имеет место на границе между двумя слоями проводников, обладающих p- и n- проводимостью.
1939 г.. Б.Давыдов опубликовал работу «Диффузионная теория выпрямления в полупроводниках».
1941 г.. Киев, теория подтверждена и развита В.Е. Лашкаревым, он публикует статью «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и в соавторстве с К. М. Косоноговой – статью «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди». Описана физика «запорного слоя» на границе раздела «медь – закись меди», впоследствии названного «p-n» переходом. Установлено, что по обе стороны “запорного слоя”, расположенного параллельно границе раздела медь — оксид меди, находятся носители тока противоположных знаков (явление p-n-перехода), а также что введение в полупроводники примесей резко повышает их способность проводить электрический ток.
1941-1945 г.. Исследования прерваны войной.
1945 г.. Шоккли и Браттейн возвратились в Bell Labs. Там под руководством Шокли была создана сильная команда из физиков, химиков и инженеров для работы над твердотельными приборами. В нее вошли У. Браттейн и физик-теоретик Дж. Бардин.
1946 г.. В. Лошкарев открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках. Им же был раскрыт механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы.
1947 г.. В Томилино смонтирована линия по производству германиевых детекторов для радиолокации, вывезенная из Германии. Разработками диодов для нее занималась исследовательская группа в НИИ-160 (ныне «Исток») под руководством А. В. Красилова.
1947 г. 21 декабря. Уильям Брэдфорд Шокли, Джон Бардин и Уолтер Хаузер Браттейн в Bell Telephone Laboratories USA демонстрируют первый в мире транзистор.
1948 г. июль. Информация об этом изобретении появилась в журнале «The Physical Review».
1948 г. 15 ноября. Первая публикация в СССР о транзисторах, в журнале «Вестник информации» Красилов опубликовали статью «Кристаллический триод».
1948 г. декабрь. В НИИ-160 (ныне «Исток») была поставлена первая НИР по транзисторам. Работа была выполнена Сусанной Гукасовной Мадоян - дипломницей Московского химико-технологического института.
1949 г. февраль. В НИИ-160 создан первый в нашей стране макет точечного германиевого транзистора. Именно этот макет Красилова и Мадоян стал первым советским транзистором.
1950 г.. К работам по транзисторам подключился ЦНИИ-108 МО (ныне ЦНИРТИ).
1950-е начало. В.Е. Лошкарёв, возобновивший после войны исследования, изготовил первые точечные транзисторы в лабораторных условиях, в тот период одинаковые открытия нередко делались независимо друг от друга, а их авторы не имели информации о достижениях своих коллег.
1952 г. ноябрь. Вышел специальный номер радиотехнического журнала США «Труды института радиоинженеров», полностью посвященный транзисторам.
1953 г. начало. Академик А. И. Берг (тогда заместителем министра обороны) подготовил письмо в ЦК КПСС о развитии работ по транзисторам.
1953 г. май. Министр промышленности средств связи М. Г. Первухин провел в Кремле совещание, посвященное полупроводникам. На нем было принято решение об организации специализированного НИИ.
1953 г.. В Москве открывается отраслевой НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35, ныне «Пульсар»). Туда была переведена лаборатория Красилова.
1953 В НИИ-35 в лаборатория Красилова Мадоян создаёт первый в Союзе опытный образец плоскостного германиевого транзистора. Эта разработка стала основой серийных приборов типа П1, П2, П3 и их дальнейших модификаций.
1953 г. конец года. Выпущенны первые отечественные серийные транзисторы - точечные триоды типов КС1 - КС8. Первые шесть типов предназначались для использования в усилительных схемах на частотах не свыше 5 МГц (КС6), два последних типа были предназначены для генерирования колебаний до 1,5 МГц (КС7) и до 5 МГц (КС8). В процессе производства первых опытных партий были отработаны некоторые технологические моменты, изменена конструкция триода, разработаны новые методы контроля параметров.
1954 г.. Триоды типа КС были сняты с производства, и в НИИ-160 Ф. А. Щиголем и Н. Н. Спиро был начат серийный выпуск точечных транзисторов С1 - С4. Объем производства составлял несколько десятков штук в день.
1955 г.. Начат промышленный выпуск плоскостных сплавных германиевых p-n-p транзисторов КСВ-1 и КСВ-2 (в дальнейшем получившие название П1 и П2).
1956 г.. В Совмине состоялось совещание генеральных конструкторов, вынесшее вердикт: «Транзистор никогда не войдет в серьёзную аппаратуру. Перспективой применения транзисторов могут быть разве что слуховые аппараты. Пусть этим занимается Министерство социального обеспечения».
Сегодня это выглядит, как анекдот, но тогда многие считали, что никакого серьёзного применения у них быть не может вследствие слабой повторяемости параметров и неустойчивости к температурным изменениям. Причина этого - попытка рассматривать транзистор как аналог электровакуумного триода.
1956 г.. Созданы первые кремниевые сплавные транзисторы П104-П106
1956-57 г.. Созданы германиевые транзисторы П401-П403 (30-120 МГц). П401 были использованы в передатчике первого искусственного спутника Земли.
1957 г.. Созданы германиевые транзисторы П418 (500 МГц).
1957 г.. Считается началом промышленного выпуска полупроводниковых приборов в СССР, промышленность выпустила 2,7 миллионов транзисторов.
1957 г.. США, выпуск транзисторов в этом году составлял 28 миллионов штук, а число различных типов достигло 600.
Литература
Разработка первых транзисторов в СССР
60 лет отечественному транзистору
60 лет транзистору
1926 г.. Советский физик Я. И. Френкель выдвинул гипотезу о дефектах кристаллической структуры полупроводников, названных “пустыми местами”, или, более привычно, “дырками”, которые могли перемещаться по кристаллу.
1930-е годы. Академик А. Ф. Иоффе начал эксперименты с полупроводниками в Ленинградском институте инженерной физики.
1938 г.. Независимо друг от друга: Мотт в Англии, Вальтер Шоттки в Германии, Украинский академик Б. И. Давыдов и его сотрудники предложили диффузионную теорию выпрямления переменного тока посредством кристаллических детекторов, в соответствии с которой оно имеет место на границе между двумя слоями проводников, обладающих p- и n- проводимостью.
1939 г.. Б.Давыдов опубликовал работу «Диффузионная теория выпрямления в полупроводниках».
1941 г.. Киев, теория подтверждена и развита В.Е. Лашкаревым, он публикует статью «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и в соавторстве с К. М. Косоноговой – статью «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди». Описана физика «запорного слоя» на границе раздела «медь – закись меди», впоследствии названного «p-n» переходом. Установлено, что по обе стороны “запорного слоя”, расположенного параллельно границе раздела медь — оксид меди, находятся носители тока противоположных знаков (явление p-n-перехода), а также что введение в полупроводники примесей резко повышает их способность проводить электрический ток.
1941-1945 г.. Исследования прерваны войной.
1945 г.. Шоккли и Браттейн возвратились в Bell Labs. Там под руководством Шокли была создана сильная команда из физиков, химиков и инженеров для работы над твердотельными приборами. В нее вошли У. Браттейн и физик-теоретик Дж. Бардин.
1946 г.. В. Лошкарев открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках. Им же был раскрыт механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы.
1947 г.. В Томилино смонтирована линия по производству германиевых детекторов для радиолокации, вывезенная из Германии. Разработками диодов для нее занималась исследовательская группа в НИИ-160 (ныне «Исток») под руководством А. В. Красилова.
1947 г. 21 декабря. Уильям Брэдфорд Шокли, Джон Бардин и Уолтер Хаузер Браттейн в Bell Telephone Laboratories USA демонстрируют первый в мире транзистор.
1948 г. июль. Информация об этом изобретении появилась в журнале «The Physical Review».
1948 г. 15 ноября. Первая публикация в СССР о транзисторах, в журнале «Вестник информации» Красилов опубликовали статью «Кристаллический триод».
1948 г. декабрь. В НИИ-160 (ныне «Исток») была поставлена первая НИР по транзисторам. Работа была выполнена Сусанной Гукасовной Мадоян - дипломницей Московского химико-технологического института.
1949 г. февраль. В НИИ-160 создан первый в нашей стране макет точечного германиевого транзистора. Именно этот макет Красилова и Мадоян стал первым советским транзистором.
1950 г.. К работам по транзисторам подключился ЦНИИ-108 МО (ныне ЦНИРТИ).
1950-е начало. В.Е. Лошкарёв, возобновивший после войны исследования, изготовил первые точечные транзисторы в лабораторных условиях, в тот период одинаковые открытия нередко делались независимо друг от друга, а их авторы не имели информации о достижениях своих коллег.
1952 г. ноябрь. Вышел специальный номер радиотехнического журнала США «Труды института радиоинженеров», полностью посвященный транзисторам.
1953 г. начало. Академик А. И. Берг (тогда заместителем министра обороны) подготовил письмо в ЦК КПСС о развитии работ по транзисторам.
1953 г. май. Министр промышленности средств связи М. Г. Первухин провел в Кремле совещание, посвященное полупроводникам. На нем было принято решение об организации специализированного НИИ.
1953 г.. В Москве открывается отраслевой НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35, ныне «Пульсар»). Туда была переведена лаборатория Красилова.
1953 В НИИ-35 в лаборатория Красилова Мадоян создаёт первый в Союзе опытный образец плоскостного германиевого транзистора. Эта разработка стала основой серийных приборов типа П1, П2, П3 и их дальнейших модификаций.
1953 г. конец года. Выпущенны первые отечественные серийные транзисторы - точечные триоды типов КС1 - КС8. Первые шесть типов предназначались для использования в усилительных схемах на частотах не свыше 5 МГц (КС6), два последних типа были предназначены для генерирования колебаний до 1,5 МГц (КС7) и до 5 МГц (КС8). В процессе производства первых опытных партий были отработаны некоторые технологические моменты, изменена конструкция триода, разработаны новые методы контроля параметров.
1954 г.. Триоды типа КС были сняты с производства, и в НИИ-160 Ф. А. Щиголем и Н. Н. Спиро был начат серийный выпуск точечных транзисторов С1 - С4. Объем производства составлял несколько десятков штук в день.
1955 г.. Начат промышленный выпуск плоскостных сплавных германиевых p-n-p транзисторов КСВ-1 и КСВ-2 (в дальнейшем получившие название П1 и П2).
1956 г.. В Совмине состоялось совещание генеральных конструкторов, вынесшее вердикт: «Транзистор никогда не войдет в серьёзную аппаратуру. Перспективой применения транзисторов могут быть разве что слуховые аппараты. Пусть этим занимается Министерство социального обеспечения».
Сегодня это выглядит, как анекдот, но тогда многие считали, что никакого серьёзного применения у них быть не может вследствие слабой повторяемости параметров и неустойчивости к температурным изменениям. Причина этого - попытка рассматривать транзистор как аналог электровакуумного триода.
1956 г.. Созданы первые кремниевые сплавные транзисторы П104-П106
1956-57 г.. Созданы германиевые транзисторы П401-П403 (30-120 МГц). П401 были использованы в передатчике первого искусственного спутника Земли.
1957 г.. Созданы германиевые транзисторы П418 (500 МГц).
1957 г.. Считается началом промышленного выпуска полупроводниковых приборов в СССР, промышленность выпустила 2,7 миллионов транзисторов.
1957 г.. США, выпуск транзисторов в этом году составлял 28 миллионов штук, а число различных типов достигло 600.
Литература
Разработка первых транзисторов в СССР
60 лет отечественному транзистору
60 лет транзистору